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参数资料
| 型号： | BU2507DF |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | BU2507DF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2507DF
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 1 V
Fig.5. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 5 V
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
BU2507DF/X
0.01
0.1
1
10
1
10
100
IC / A
hFE
Ths = 25 C
Ths = 85 C
VCE = 1 V
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2507DF/X
0.01
0.1
1
10
1
10
100
IC / A
hFE
VCE = 5 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
1mH
12nF
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
IC / A
VCESAT / V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
IC/IB = 3
IC/IB = 4
IC/IB = 5
BU2507DF/X
September 1997
3
Rev 1.200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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