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参数资料
| 型号： | BU2508AF |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | BU2508AF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508AF
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.9. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.10. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.11. Typical turn-off losses.T
= 85C
Eoff = f (I
B
); parameter I
C
; f = 16 kHz
Fig.12. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); parameter I
C
; T
j
= 85C; f = 16 kHz
0.1
1
10
IC / A
VBESAT / V
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Tj = 25 C
Tj = 125 C
3
4
5
IC/IB=
0.1
1
10
IB / A
VCESAT / V
10
1
0.1
Tj = 25 C
Tj = 125 C
3A
4.5A
6A
IC=2A
0.1
1
10
IC / A
VCESAT / V
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Tj = 25 C
Tj = 125 C
5
4
3
IC/IB=
0.1
1
10
IB / A
Eoff / uJ
1000
100
10
3.5A
IC = 4.5A
0
1
2
3
4
IB / A
VBESAT / V
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
6A
4.5A
3A
2A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC=
0.1
1
10
IB / A
ts, tf / us
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
IC =
3.5A
4.5A
tf
ts
September 1997
4
Rev 1.500
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2508AF | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU2508AF | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-199 |
| BU2508AW | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2508AX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-399 |
| BU2508AX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-399 |
| BU2508AX/B | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR POWER SOT-399 |
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