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参数资料
| 型号： | BU2508D |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | BU2508D |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508D
Fig.13. Forward bias safe operating area. T
mb
= 25C
(1) P
max line.
(2) Second-breakdown limits
(independent of temperature).
I
Region of DC operation.
II
Extension for repetitive pulse operation.
1
10
100
1000
100
10
1
0.1
0.01
tp =
5 us
10
20
50
100
200
500
1 ms
2
5
20
DC
IC / A
VCE / V
ICM max
IC max
= 0.01
II
I
(1)
(2)
December 1995
5
Rev 1.200
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PDF描述 |
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