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参数资料
| 型号： | BU2508DW |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封装： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BU2508DW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508DW
Fig.13. Forward bias safe operating area. T
mb
= 25C
(1) P
max line.
(2) Second-breakdown limits
(independent of temperature).
I
Region of DC operation.
II
Extension for repetitive pulse operation.
1
10
100
1000
100
10
1
0.1
0.01
tp =
5 us
10
20
50
100
200
500
1 ms
2
5
20
DC
IC / A
VCE / V
ICM max
IC max
= 0.01
II
I
(1)
(2)
September 1997
5
Rev 1.100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2508DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2508D | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2515AF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2515AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2515DF | Silicon Diffused Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU2508DX | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SOT-93 NPN 1500V 8A 45W BCE |
| BU2508DX PHILIPS | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Bu2508Dx 1500V 8A 45W Bce Transistor SOT-93 Power NPN |
| BU2508DX/B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR HIGH VOLT SOT-399 |
| BU2508-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced isoCink Bridge Rectifiers |
| BU2508-E3/45 | 功能描述:桥式整流器 25 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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