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参数资料
| 型号： | BU52011HFV-TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 24/34页 |
| 文件大小： | 678K |
| 描述： | IC HALL EFFECT SW BIPO HVSOF5 |
| 特色产品： | ROHM Hall Effect Sensor ICs |
| 标准包装： | 1 |
| 传感范围： | ±5mT 跳闸，±0.6mT 释放 |
| 类型： | 全极开关 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 3.3 V |
| 电流 - 电源： | 8µA |
| 电流 - 输出（最大）： | ±0.5mA |
| 输出类型： | 数字，开路集电极 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | SOT-665 |
| 供应商设备封装： | 5-HVSOF |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BU52011HFV-DKR BU52011HFV-DKR-ND BU52011HFVDKR |
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Technical Note
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52053NVX,
BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
24/31
www.rohm.com
2011.12 - Rev.G
?2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
(Magnetic Field Detection Mechanism)
The bipolar detection Hall IC detects magnetic fields running perpendicular to the top surface of the package. There is an
inverse relationship between magnetic flux density and the distance separating the magnet and the Hall IC: when distance
increases magnetic density falls. When it drops below the operate point (Bop), output goes HIGH. When the magnet gets
closer to the IC and magnetic density rises, to the operate point, the output switches LOW. In LOW output mode, the
distance from the magnet to the IC increases again until the magnetic density falls to a point just below Bop, and output
returns HIGH. (This point, where magnetic flux density restores HIGH output, is known as the release point, Brp.) This
detection and adjustment mechanism is designed to prevent noise, oscillation and other erratic system operation.
B
Low
Bop N Brp N
Brp S
Bop S
0
High
N-Pole
Magnetic flux density [mT]
S-Pole
Fig.68
High
High
Low
OUT [V]
N
N
S
S
S
N
The Hall IC cannot detect magnetic fields that run horizontal to the package top layer.
Be certain to configure the Hall IC so that the magnetic field is perpendicular to the top layer.
Fig.67
S
S
N
S
N
agnetic
Flux
agnetic
Flux
agnetic
Flux
agnetic
Flux
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PDF描述 |
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| BU52012HFV-TR | IC HALL EFFECT SW MONO HVSOF5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU52012HFV | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Unipolar Detection Hall ICs |
| BU52012HFV-TR | 功能描述:工业霍耳效应/磁性传感器 MONO DETECTION SENSOR; 1.65-3.3V RoHS:否 制造商:Honeywell 操作类型: 操作高斯: 工作电源电压: 电流额定值: 封装 / 箱体: 输出下降时间: 工作点最小值/最大值: 安装风格: 最大工作温度: 最小工作温度: 最大输出电流: 封装: |
| BU52012HFV-TR-CUT TAPE | 制造商:ROHM 功能描述:Ultra Small 1.8 V 3.5 uA Surface Mount Unipolar Detection Hall IC - HVSOF-5 |
| BU52012NVX | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Hall effect Switch |
| BU52012NVX-TR | 功能描述:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Hall Effect Sensor 0.5mA Unipolar 1.8V RoHS:否 制造商:Honeywell 类型:Bipolar Hall-Effect Digital Position Sensor 工作电源电压:3 V to 24 V 电源电流:3.5 mA 最大输出电流:20 mA 工作点最小值/最大值:5 G, 55 G 最小/最大释放点（Brp）:- 55 G, - 5 G 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 |
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