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参数资料
| 型号： | BU52011HFV-TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/34页 |
| 文件大小： | 678K |
| 描述： | IC HALL EFFECT SW BIPO HVSOF5 |
| 特色产品： | ROHM Hall Effect Sensor ICs |
| 标准包装： | 1 |
| 传感范围： | ±5mT 跳闸，±0.6mT 释放 |
| 类型： | 全极开关 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 3.3 V |
| 电流 - 电源： | 8µA |
| 电流 - 输出（最大）： | ±0.5mA |
| 输出类型： | 数字，开路集电极 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | SOT-665 |
| 供应商设备封装： | 5-HVSOF |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BU52011HFV-DKR BU52011HFV-DKR-ND BU52011HFVDKR |
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Technical Note
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52053NVX,
BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
5/31
www.rohm.com
2011.12 - Rev.G
?2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
BU52015GUL (Unless otherwise specified, V
DD
=1.80V, Ta=25)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Power Supply Voltage
V
DD
1.65
1.80
3.30
V
Operate Point
B
opS
-
3.0
5.0
mT
B
opN
-5.0
-3.0
-
Release Point
B
rpS
0.6
2.1
-
mT
B
rpN
-
-2.1
-0.6
Hysteresis
B
hysS
-
0.9
-
mT
B
hysN
-
0.9
-
Period
T
p
-
50
100
ms
Output High Voltage
V
OH
V
DD
-0.2
-
-
V
OUT1: B
rpN
<B
rpS
;
19
OUT2: B
opN
, B
opS
<B
I
OUT
= -0.5mA
Output Low Voltage
V
OL
-
-
0.2
V
OUT1: B
opN
, B
opS
<B
;
19
OUT2: B
rpN
<B
rpS
I
OUT
= +0.5mA
Supply Current 1
I
DD1(AVG)
-
5
8
礎 V
DD
=1.8V, Average
Supply Current During Startup Time 1
I
DD1(EN)
-
2.8
-
mA
V
DD
=1.8V,
During Startup Time Value
Supply Current During Standby Time 1 I
DD1(DIS)
-
1.8
-
礎
V
DD
=1.8V,
During Standby Time Value
Supply Current 2
I
DD2(AVG)
-
8
12
礎 V
DD
=2.7V, Average
Supply Current During Startup Time 2
I
DD2(EN)
-
4.5
-
mA
V
DD
=2.7V,
During Startup Time Value
Supply Current During Standby Time 2 I
DD2(DIS)
-
4.0
-
礎
V
DD
=2.7V,
During Standby Time Value
;19 B = Magnetic flux density
1mT=10Gauss
Positive ( + ) polarity flux is defined as the magnetic flux from south pole which is direct toward to the branded face of the sensor.
After applying power supply, it takes one cycle of period (T
P
) to become definite output.
Radiation hardiness is not designed.
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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