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参数资料
| 型号： | BU9897GUL-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SERIAL VCSP50L2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 12-UFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | VCSP50L2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Datasheet
Serial EEPROM Series Standard EEPROM
WLCSP EEPROM
BU9897GUL-W
(128Kbit)
BU9897GUL-W is a serial EEPROM of I C BUS interface method.
Completely conforming to the world standard I C BUS.
● General Description
2
Memory density is 128Kbit (16,384 × 8bit) , compact package VCSP50L2.
● Features
2
All controls available by 2 ports of serial clock (SCL) and serial data (SDA)
Other devices than EEPROM can be connected to the same port, saving microcontroller port.
1.7V to 5.5V single power source action most suitable for battery use.
FAST MODE :400kHz at 1.7V to 5.5V
Page write mode useful for initial value write at factory shipment.
Auto erase and auto end function at data rewrite.
Low current consumption
At write operation (5.0V)
At read operation (5.0V)
At standby operation (5.0V)
: 0.5mA (Typ.)
: 0.2mA (Typ.)
: 0.1μA (Typ.)
Write mistake prevention function
Write (write protect) function added
Write mistake prevention function at low voltage
Compact package
W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)
Data rewrite up to 1,000,000 times
Data kept for 40 years
Noise filter built in SCL / SDA terminal
Shipment data all address FFh
● Page write
: 2.44mm x 1.99mm x 0.55mm
Product number
BU9897GUL-W
Number of pages
64Byte
● Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ℃ )
Parameter symbol
Ratings
Unit
Remarks
Impressed voltage
V CC
-0.3 to 6.5
V
Permissible dissipation
Storage temperature range
Action temperature range
Terminal voltage
Pd
Tstg
Topr
－
220
-65 to 125
-40 to 85
-0.3 to V CC +1.0
mW
℃
℃
V
When using at Ta=25 ℃ or higher, 2.2mW to be reduced per 1 ℃
The Max value of Terminal Voltage is not over 6.5V.
● Memory cell characteristics (Ta=25 ℃ , V CC =1.7V to 5.5V)
Parameter
Limits
Min. Typ.
Max.
Unit
Number of data rewrite times *1
Data hold years *1
1,000,000
40
－
－
－
－
Times
Years
*1 Not 100% TESTED
● Recommended Operating Ratings
Parameter
Power source voltage
Input voltage
Symbol
V CC
V IN
Ratings
1.7 to 5.5
0 to V CC
Unit
V
○ Product structure ： Silicon monolithic integrated circuit
○ This product is not designed protection against radioactive rays
www.rohm.com
?2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 14 ? 001
1/22
TSZ02201-0R2R0G100500-1-2
4.SEP.2012 Rev.001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU99901GUZ-WE2 | IC EEPROM 32KBIT 2WIRE VCSP |
| BUK218-50DY,118 | TOPFET DUAL SWITCH D2PAK |
| BVL121200003N | BATTERY CHG UNIV 12VDC @ 1.2A |
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| C-14245 | RACKMOUNT INTERNAL CHASSIS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BU99022NUX-3TR | 功能描述:IC EEPROM I2C BUS 2KB 8VSON 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K （256 x 8 x 2） 速度:400kHz 接口:I2C，2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标准包装:1 |
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| BU9929FV-E2 | 功能描述:IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 接口 - I/O 扩展器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:74 系列:- 接口:I²C，JTAG 输入/输出数:9 中断输出:无 频率 - 时钟:400kHz 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:20-TSSOP 包装:管件 包括:EEPROM |
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