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参数资料
| 型号： | BUK7107-55ATE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426封装 |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BUK7107-55ATE |
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
10 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
VGS =0V
Fig 17. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03ni91
0
20
40
60
80
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
ID
(A)
175
°C
Tj = 25 °C
VSD (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK7107-55ATE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7107-55ATE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7108-40AIE | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchPLUS standard level FET |
| BUK7108-40AIE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7108-40AIE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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