- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223464 > BUK7107-55ATE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BUK7107-55ATE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426封装 |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BUK7107-55ATE |
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
11 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
6.
Package outline
Fig 18. SOT426 (D2-PAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT426
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D2-PAK); 5 leads
(one lead cropped)
SOT426
e
E
b
A1
A
A1
Lp
bc
D
max.
e
A
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
E
11
mm
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
2.90
2.10
HD
15.80
14.80
Q
2.60
2.20
10.30
9.70
D1
1.60
1.20
1.70
98-12-14
99-06-25
1
3
24
5
mounting
base
D1
HD
D
Q
Lp
c
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK7109-75AIE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263VAR |
| BUK7109-75ATE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
| BUK7909-75AIE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220VAR |
| BUK7909-75ATE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-263B |
| BUK793-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK7107-55ATE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7107-55ATE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7108-40AIE | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchPLUS standard level FET |
| BUK7108-40AIE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7108-40AIE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。