- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223464 > BUK7109-75AIE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263VAR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BUK7109-75AIE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263VAR |
| 中文描述： | 晶体管 | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263VAR封装 |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BUK7109-75AIE |
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
7 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Tj =25 °C; tp = 300 sTj =25 °C; ID =50A
Fig 5.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
Tj =25 °C; tp = 300s
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ni86
0
100
200
300
400
024
68
10
VDS (V)
ID
(A)
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
10
20
Label is VGS (V)
03ni88
0
4
8
12
4
8
12
16
20
VGS (V)
RDSon
(m
)
03ni87
0
5
10
15
20
0
100
200
300
400
ID (A)
RDSon
(m
)
VGS = 5.5 V 6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
20 V
03ni30
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
a
Tj (°C)
a
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
-----------------------------
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK7109-75ATE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
| BUK7909-75AIE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220VAR |
| BUK7909-75ATE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-263B |
| BUK793-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-263 |
| BUK795-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | SOT-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK7109-75AIE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7109-75AIE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7109-75ATE | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchPLUS standard level FET |
| BUK7109-75ATE /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK7109-75ATE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。