- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223465 > BUK9609-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BUK9609-75A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 75V的五（巴西）直| 75A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | BUK9609-75A |
BUK9509-75A; BUK9609-75A
TrenchMOS logic level FET
Rev. 02 — 06 November 2000
Product specication
c
1.
Description
N-channel enhancement mode eld-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.
Product availability:
BUK9509-75A in SOT78 (TO-220AB)
BUK9609-75A in SOT404 (D 2-PAK).
2.
Features
s TrenchMOS technology
s Q101 compliant
s 175
°C rated
s Logic level compatible.
3.
Applications
s Automotive and general purpose power switching:
x 12 V, 24 V and 42 V loads
x Motors, lamps and solenoids.
4.
Pinning information
Table 1:
Pinning - SOT78 and SOT404, simplied outline and symbol
Pin
Description
Simplied outline
Symbol
1
gate (g)
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D2-PAK)
2
drain (d)
3
source (s)
mb
mounting base;
connected to drain (d)
MBK106
12
mb
3
13
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9623-75A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-263AB |
| BUK9608-55A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| BUL410 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
| BUL45A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| BUL46B | NPN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK9609-75A /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9609-75A,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9610-100B | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS⑩ logic level FET |
| BUK9610-100B /T3 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9610-100B,118 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。