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参数资料
| 型号： | BUK9609-75A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 75V的五（巴西）直| 75A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | BUK9609-75A |
Philips Semiconductors
BUK9509-75A; BUK9609-75A
TrenchMOS logic level FET
Product specication
Rev. 02 — 06 November 2000
9 of 15
9397 750 07656
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 16. SOT78 (TO-220AB).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT78
SC-46
3-lead TO-220AB
D
D1
q
P
L
12
3
L2
(1)
b1
e
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB
SOT78
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
Q
L1
UNIT
A1
b1
D1
e
P
mm
2.54
qQ
A
b
D
c
L2
(1)
max.
3.0
3.8
3.6
15.0
13.5
3.30
2.79
3.0
2.7
2.6
2.2
0.7
0.4
15.8
15.2
0.9
0.7
1.3
1.0
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
E
L
99-09-13
00-09-07
mounting
base
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9623-75A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-263AB |
| BUK9608-55A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| BUL410 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
| BUL45A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| BUL46B | NPN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK9609-75A /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9609-75A,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9610-100B | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS⑩ logic level FET |
| BUK9610-100B /T3 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9610-100B,118 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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