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参数资料
| 型号： | BUK9609-75A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 75V的五（巴西）直| 75A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | BUK9609-75A |
Philips Semiconductors
BUK9509-75A; BUK9609-75A
TrenchMOS logic level FET
Product specication
Rev. 02 — 06 November 2000
8 of 15
9397 750 07656
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
VDS =25V
Tj =25 °C; ID =25A
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
VGS =0V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03nb39
0
20
40
60
80
100
120
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
VGS (V)
ID
(A)
Tj = 175
OC
Tj = 25
OC
03nb37
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
50
100
150
QG (nC)
VGS
(V)
VDD= 60 V
VDD= 14 V
03nb36
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 175
OC
Tj = 25
O C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| BUK9610-100B | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS⑩ logic level FET |
| BUK9610-100B /T3 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9610-100B,118 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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