参数资料
型号: BVSS123LT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 170mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 欧姆 @ 100mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): *
输入电容 (Ciss) @ Vds: 20pF @ 25V
功率 - 最大: 225mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
BSS123LT1G, BVSS123LT1G
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
0.1
0 V ≤ V GS ≤ 20 V
SINGLE PULSE
T A = 25 ° C
T J = 150 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
100 ms
0.01
0.001
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1 10
dc
100
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1000
D = 0.5
100
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.1
Single Pulse
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
1 oz. Cu Pad, 5 m m thick, 25mm 2 area
10 100 1000
t, TIME (s)
Figure 8. Thermal Response
http://onsemi.com
4
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PDF描述
BVSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
BXC-10546 ASSY INPUT FOR BXA-12563
BXC-10549 ASSEMBLY INPUT CONNECTOR
BXC-10550 ASSEMBLY CONN INP FOR BXA-12549
BXC-10566 ASSEMBLY OUTPT-CONN
相关代理商/技术参数
参数描述
BVSS138LT1G 功能描述:MOSFET NFET 50V 200MA 3.5O RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BVSS84LT1G 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BVT1 制造商:ALLIED TERMINALS 功能描述:SPLICE; BUTT; STRAIGHT; 22-18 AWG; PVC
BVT2 制造商:ALLIED TERMINALS 功能描述:SPLICE; BUTT; STRAIGHT; 16-14 AWG; PVC
BVT2CD1 制造商:K.S.Terminals 功能描述:Pack