参数资料
型号: BYG21MHE3/TR
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 87K
描述: DIODE 1.5A 1000V 120NS DO-214AC
标准包装: 1,800
二极管类型: 雪崩
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.6V @ 1.5A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 120ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 1000V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商设备封装: DO-214AC(SMA)
包装: 带卷 (TR)
‘? _ BYG21 K-E3/H E3, BYG21 M-E3/H E37 Www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 0C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS
Maximum instantaneousforward voltage
J:
]
Maximum reverse IF : 0.5 A, IR :1.0 A,
recovery time I" : 0.25 A
Note(l) Pulse test: 300 us pulse Width, 1 % duty cycle
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 00 unless otherwise noted)
PARAMETER
Typical thermal resistance, junction to lead, TL : const.
Typical thermal resistance, junction to ambient
Notesl‘) Mounted on epoxy-glass hard tissue(2) Mounted on epoxy-glass hard tissue, 50 mm? 35 um Cu(3) Mounted on AI-oxide-ceramic (AI2O3), 50 mm2 35 um Cu
UNIT WEIGHT (9) PREFERRED PACKAGE coDE
BYG21KHE3/TR3 (1)
Note1‘) AEC—Q1 01 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 0C unless otherwise noted)
10
VR : VRRM
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O 0 5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 O 25 50 75 I00 I25 I50
Forward Voltage (V) Ambient Temperature (°C)Fig. 1 — Forward Current vs. Forward Voltage Fig. 2 — Max. Average Forward Current vs. Ambient Temperature
Revision: 21 -Aug-1 3 2 Document Number: 88961
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