参数资料
型号: BYG21MHE3/TR
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 87K
描述: DIODE 1.5A 1000V 120NS DO-214AC
标准包装: 1,800
二极管类型: 雪崩
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.6V @ 1.5A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 120ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 1000V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商设备封装: DO-214AC(SMA)
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQV
www.viShay.com
0 0 2 0.4 0.6 0.5 I 0Pulse Length (S)
Reverse Current (DA)75 I00 I25 I50Reverse Voliage (V)
8
25 50 75 I00 I25 I50
Junction Temperaiure ("C)Fig. 3 - Reverse Current vs. Junction Temperature
120
3
om
o
J>
0
Reverse Power Dissipation (mw)
N (7)
o o
Junciion Temperaiure (°C)Fig. 4 - Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction Temperature
25Document Number: 88961
N
oG
8
Diode Capacitance (pF)
m
Fig. 5 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
Revision: 21 -Aug-1 3
BYG21 K-E3/ H E3, BYG21 M-E3/ H E3Vishay General Semiconductor
3
200
I50
I00
50
Reverse Recovery Charge (nc)
|R:0.5 A. |R:0.I25 A
FonNard Current (A)Fig. 6 - Max. Reverse Recovery Charge vs. Fom/ard Current
Thermal Resistance for Pulse Cong, (K/W
Fig. 7 - Thermal Response
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md C7910
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