参数资料
型号: BYQ28X-200,127
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 6/10页
文件大小: 138K
描述: DIODE RECT UFAST 200V TO220F
产品目录绘图: TO-220F Pin Out
标准包装: 50
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 10A
电压 - (Vr)(最大): 200V
反向恢复时间(trr): 25ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 隔离片
供应商设备封装: TO-220-3
包装: 管件
产品目录页面: 1509 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-3431
934039600127
BYQ28X-200
BYQ28X-200_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 5 February 2009 5 of 10
NXP Semiconductors
BYQ28X-200
Dual ultrafast rugged rectifier diode
7. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Static characteristics
VF
forward voltage IF
=10A; Tj
=25°C - 1.1 1.25 V
IF
=5A; Tj
= 150 °C; see Figure 4
- 0.8 0.895 V
IF
=5A; Tj
= 25 °C - 0.95 1.1 V
IR
reverse current VR
=200V; Tj
=25°C - 2 10 μA
VR
=200V; Tj
= 100 °C - 0.1 0.2 mA
Dynamic characteristics
Qr
recovered charge IF
=2A; VR
=30V; dIF/dt = 20 A/μs;
Tj
=25°C
-49μC
trr
reverse recovery time IF
=1A; VR
=30V; dIF/dt = 100 A/μs;
ramp recovery; Tj
= 25 °C; see Figure 5
-1525ns
IF
= 0.5 A; IR
= 1 A; step recovery;
measured at IR
= 0.25 A; T
j
=25°C; see
Figure 6
--20ns
IRM
peak reverse recovery
current
IF
=5A; VR
30 V; dIF/dt = 50 A/μs;
Tj
=25°C; see Figure 5
-0.50.7A
VFRM
peak forward recovery
voltage
IF
=1A; dIF/dt = 10 A/μs; Tj
= 25 °C; see
Figure 7
-1-V
Fig 4. Forward current as a function of forward
voltage
Fig 5. Reverse recovery definitions; ramp recovery
001aag978
VF
(V)
0 1.50.5
1.0
5
10
15
IF
(A)
0
(3)
(2)
(1)
003aac562
trr
time
100 %
25 %
IF
dlF
dt
IR
IRM
Qr
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