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参数资料
| 型号： | BYV32E-150,127 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 135K |
| 描述： | DIODE RECT 150V 20A SOT78 |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 934011680127 BYV32E-150 BYV32E-150-ND |
BYV32E-150
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 150 V
Rev. 04 — 2 March 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Ultrafast dual epitaxial rectifier diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.
1.2 Features and benefits
∨
High reverse voltage surge capability
∨
High thermal cycling performance
∨
Low thermal resistance
∨
Soft recovery characteristic minimizes
power consuming oscillations
∨
Very low on-state loss
1.3 Applications
∨
Output rectifiers in high-frequency
switched-mode power supplies
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
repetitive peak
reverse voltage
- - 150 V
IO(AV)
average output
current
square-wave pulse; δ
= 0.5;
Tmb
≤
115 °C; both diodes
conducting; see Figure 1;
see Figure 2
--20A
IRRM
repetitive peak
reverse current
tp
=2μs; δ
=0.001 --0.2A
VESD
electrostatic
discharge voltage
HBM; C = 250 pF; R = 1.5
k?; all pins
--8kV
Dynamic characteristics
trr
reverse recovery
time
IF
=1A; VR
=30V;
dIF/dt = 100 A/μs;
Tj
= 25 °C; ramp recovery;
see Figure 5
- 2025ns
IR
=0.5A; IF
=1A;
Tj
= 25 °C; step recovery;
measured at reverse current
= 0.25 A; see Figure 6
- 1020ns
Static characteristics
VF
forward voltage IF
=8A; Tj
=150°C; see
Figure 4
- 0.72 0.85 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BYV32E-200 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ULTRA FAST 2X10A |
| BYV32E-200127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier Array |
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