参数资料
型号: BYV32EB-200,118
厂商: NXP Semiconductors
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文件大小: 134K
描述: DIODE RECT UFAST 200V D2PAK
产品目录绘图: D2PAK Pin Out
D2PAK Circuit
标准包装: 800
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.15V @ 20A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 30µA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 20A
电压 - (Vr)(最大): 200V
反向恢复时间(trr): 25ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
其它名称: BYV32EB-200118-CHP
BYV32EB-200
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V
Rev. 04 — 2 March 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Ultrafast dual epitaxial rectifier diode in a SOT404 (D2PAK) surface-mountable plastic
package.
1.2 Features and benefits
High reverse voltage surge capability
High thermal cycling performance
Low thermal resistance
Soft recovery characteristic minimizes
power consuming oscillations
Surface-mountable package
Very low on-state loss
1.3 Applications
Output rectifiers in high-frequency
switched-mode power supplies
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
repetitive peak reverse voltage - - 200 V
IO(AV)
average output current square-wave pulse; δ
= 0.5;
Tmb
115 °C; both diodes conducting;
see Figure 1; see Figure 2
--20A
IRRM
repetitive peak reverse current tp
=2μs; δ
= 0.001 - - 0.2 A
VESD
electrostatic discharge voltage HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k?; all pins - - 8 kV
Dynamic characteristics
trr
reverse recovery time IF
=1A; VR
=30V; dIF/dt = 100 A/μs;
Tj
= 25 °C; ramp recovery; see Figure 5
- 2025ns
IR
=1A; IF
=0.5A; Tj
= 25 °C; measured
at reverse current = 0.25 A; step
recovery; see Figure 6
- 1020ns
Static characteristics
VF
forward voltage IF
=8A; Tj
= 150 °C; see Figure 4
-0.720.85V
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