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参数资料
| 型号： | BYV32-200G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 122K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 200V 8A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 8A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | BYV32-200G-ND BYV32-200GOS |
BYV32?200
http://onsemi.com
4
1000
10
30
100
300
1.0 10 100
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
TJ
= 25
°C
0 4.02.0 6.0 10 14 18
2.0
4.0
6.0
8.0
24
0
8.0 12 16 20
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
P
F(AV)
Figure 6. Power Dissipation, Per Leg
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
TJ
= 175
°C
dc
SQUARE WAVE
10
12
14
16
18
Figure 7. Typical Capacitance, Per Leg
20
22
Figure 8. Thermal Response, Junction?to?Ambient
PULSE TIME (sec)
0.001
0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
R(t) (
°
C/W)
0.01
0.1
1
10
100
50% Duty Cycle
20%
10%
5%
2%
1%
Single Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BYV32-200HE3/45 | 功能描述:整流器 200 Volt 18A 25ns Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BYV32-200M | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:DUAL FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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