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参数资料
| 型号： | BZA100,118 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 6.8V 20-SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5.25V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 27.5W |
| 电极标记： | 18 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 934034860118 BZA100 /T3 BZA100 /T3-ND |
NXP Semiconductors
18-fold ESD transient voltage suppressor
THERMAL CHARACTERISTICS
Product data sheet
BZA100
SYMBOL
R th j-s
R th j-a
PARAMETER
thermal resistance from junction to soldering point
thermal resistance from junction to ambient
CONDITIONS
one or more diodes loaded
VALUE
56.5
100
UNIT
K/W
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
V Z
V F
V ZSM
I R
r dif
S Z
working voltage
forward voltage
non-repetitive peak reverse voltage
reverse current
differential resistance
temperature coefficient of
I Z = 5 mA
I F = 200 mA
t p = 1 ms; I ZSM = 2.5 A
V R = 5.25 V
I Z = 1 mA
I Z = 5 mA
I Z = 5mA
6.4
?
?
?
?
?
?
6.8
?
?
?
?
?
3
7.2
1.3
11
2
40
8
?
V
V
V
μ A
?
?
mV/K
working voltage
C d
diode capacitance
see Fig.5
V R = 0; f = 1 MHz
V R = 5.25 V; f = 1 MHz
?
?
?
?
120
60
pF
pF
1997 Dec 02
3
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PDF描述 |
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