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参数资料
| 型号： | BZA100,118 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 6.8V 20-SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5.25V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 27.5W |
| 电极标记： | 18 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 934034860118 BZA100 /T3 BZA100 /T3-ND |
NXP Semiconductors
18-fold ESD transient voltage suppressor
GRAPHICAL DATA
Product data sheet
BZA100
10
handbook, halfpage
MBG394
2.4
handbook, halfpage
MBG393
Ptot
IZSM
(A)
(W)
1.6
1
0.8
10 2 t (ms) 10 3
10 ? 1
10 ? 1
1
10
p
0
0
50
100
Ts ( o C)
150
All diodes loaded.
Fig.2
Maximum non-repetitive peak reverse
current as a function of pulse time.
Fig.3 Power derating curve.
10 2
handbook, halfpage
MBG395
100
handbook, halfpage
MBG392
Cd
PZSM
(W)
(pF)
80
10
60
10 2 t (ms) 10 3
1
10 ? 1
1
10
p
40
0
2
4
VR (V)
6
P ZSM = V ZSM × I ZSM .
V ZSM is the non-repetitive peak reverse voltage at I ZSM .
T j = 25 ° C; f = 1 MHz.
Fig.4
Maximum non-repetitive peak reverse power
dissipation as a function of pulse duration
Fig.5
Diode capacitance as a function of reverse
(square pulse).
1997 Dec 02
4
voltage; typical values.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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