参数资料
型号: C4D10120A
厂商: Cree Inc
文件页数: 2/6页
文件大小: 665K
描述: DIODE SCHOTTKY 1200V 14A TO220-2
标准包装: 50
系列: Z-Rec™
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
电流 - 平均整流 (Io): 14A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.8V @ 10A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 250µA @ 1200V
电容@ Vr, F: 754pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220-2
包装: 管件
2
C4D10120A Rev. B
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I
F
Forward Current
VFForward VoltageV
F
(V)
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.5
2.2
1.8
3
V
IF
=
10
A
TJ=25°C
IF
=
10
A
TJ=175°C
IR
Reverse
Current
30
55
250
350
μA
VR
=
1200
V
TJ=25°C
VR
=
1200
V
TJ=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
52
nC
VR
=
800
V,
IF
=
10A
di/dt
=
200
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
754
45
38
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
800
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
1.
Note:This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
1.1
°C/W
Typical Performance
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
0.00
100.00
200.00
300.00
400.00
500.00
600.00
0
500
1000
1500
2000
I
R
Reverse Current (μA)
VRReverse VoltageVR
(V)
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
I
F
(A)
I
R
(μA)
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PDF描述
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