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参数资料
| 型号： | C8051F330-TB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 8/210页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD PROTOTYPING W/C8051F330 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | MCU |
| 适用于相关产品： | C8051F330 |
| 所含物品： | 板 |
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C8051F330/1/2/3/4/5
108
Rev. 1.7
viced in priority order after the Flash operation has been completed and interrupts have been
re-enabled by software.
10. Make certain that the Flash write and erase pointer variables are not located in XRAM. See
your compiler documentation for instructions regarding how to explicitly locate variables in dif-
ferent memory areas.
11. Add address bounds checking to the routines that write or erase Flash memory to ensure that
a routine called with an illegal address does not result in modification of the Flash.
11.4.3. System Clock
12. If operating from an external crystal, be advised that crystal performance is susceptible to
electrical interference and is sensitive to layout and to changes in temperature. If the system
is operating in an electrically noisy environment, use the internal oscillator or use an external
CMOS clock.
13. If operating from the external oscillator, switch to the internal oscillator during Flash write or
erase operations. The external oscillator can continue to run, and the CPU can switch back to
the external oscillator after the Flash operation has completed.
Additional Flash recommendations and example code can be found in AN201, "Writing to Flash from Firm-
ware", available from the Silicon Laboratories web site.
SFR Definition 11.1. PSCTL: Program Store R/W Control
Bits7–2: UNUSED: Read = 000000b, Write = don’t care.
Bit1:
PSEE: Program Store Erase Enable
Setting this bit (in combination with PSWE) allows an entire page of Flash program memory
to be erased. If this bit is logic 1 and Flash writes are enabled (PSWE is logic 1), a write to
Flash memory using the MOVX instruction will erase the entire page that contains the loca-
tion addressed by the MOVX instruction. The value of the data byte written does not matter.
0: Flash program memory erasure disabled.
1: Flash program memory erasure enabled.
Bit0:
PSWE: Program Store Write Enable
Setting this bit allows writing a byte of data to the Flash program memory using the MOVX
write instruction. The Flash location should be erased before writing data.
0: Writes to Flash program memory disabled.
1: Writes to Flash program memory enabled; the MOVX write instruction targets Flash
memory.
RR
RRR
R
R/W
Reset Value
—
PSEE
PSWE
00000000
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
SFR Address:
0x8F
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PDF描述 |
|---|---|
| LGU2G101MELA | CAP ALUM 100UF 400V 20% SNAP |
| SDR-Q | SCOTCH CODE REFILL Q |
| 0210391036 | CABLE JUMPER 1MM .102M 33POS |
| RBM22DSXH | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
| C8051F310-TB | BOARD PROTOTYPING W/C8051F310 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C8051F330-TB-K | 功能描述:BOARD PROTOTYPING W/C8051F330 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:在售 板类型:评估平台 类型:MCU 8-位 核心处理器:8051 操作系统:- 平台:- 配套使用产品/相关产品:C8051F33x 安装类型:固定 内容:板 标准包装:1 |
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| C8051F331-GM | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB 20P MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F331-GMR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB 20P MCU on Tape and Reel RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F331R | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB 20P MCU on Tape and Reel RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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