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参数资料
| 型号： | C8051F362-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 41/288页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC 8051 MCU 32K FLASH 28QFN |
| 产品培训模块： | Serial Communication Overview |
| 标准包装： | 73 |
| 系列： | C8051F36x |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 连通性： | SMBus（2 线/I²C），SPI，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 25 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 17x10b; D/A 1x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | 336-1410-ND - KIT DEV FOR C8051F360 FAMILY |
| 其它名称： | 336-1409-5 |
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Rev. 1.0
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C8051F360/1/2/3/4/5/6/7/8/9
13. Flash Memory
All devices include either 32 kB (C8051F360/1/2/3/4/5/6/7) or 16 kB (C8051F368/9) of on-chip, reprogram-
mable Flash memory for program code or non-volatile data storage. The Flash memory can be pro-
grammed in-system through the C2 interface, or by software using the MOVX write instructions. Once
cleared to logic ‘0’, a Flash bit must be erased to set it back to logic ‘1’. Bytes should be erased (set to
0xFF) before being reprogrammed. Flash write and erase operations are automatically timed by hardware
for proper execution. During a Flash erase or write, the FLBUSY bit in the FLSTAT register is set to ‘1’
(see SFR Definition 14.5). During this time, instructions that are located in the prefetch buffer or the branch
target cache can be executed, but the processor will stall until the erase or write is completed if instruction
data must be fetched from Flash memory. Interrupts that have been pre-loaded into the branch target
cache can also be serviced at this time, if the current code is also executing from the prefetch engine or
cache memory. Any interrupts that are not pre-loaded into cache, or that occur while the core is halted, will
be held in a pending state during the Flash write/erase operation, and serviced in priority order once the
Flash operation has completed. Refer to Table 13.2 for the electrical characteristics of the Flash memory.
13.1. Programming the Flash Memory
The simplest means of programming the Flash memory is through the C2 interface using programming
tools provided by Silicon Labs or a third party vendor. This is the only means for programming a non-initial-
ized device. For details on the C2 commands to program Flash memory, see Section “24. C2 Interface” on
The Flash memory can be programmed from software using the MOVX write instruction with the address
and data byte to be programmed provided as normal operands. Before writing to Flash memory using
MOVX, Flash write operations must be enabled by setting the PSWE Program Store Write Enable bit
(PSCTL.0) to logic ‘1’. This directs the MOVX writes to Flash memory instead of to XRAM, which is the
default target. The PSWE bit remains set until cleared by software. To avoid errant Flash writes, it is rec-
ommended that interrupts be disabled while the PSWE bit is logic ‘1’.
Flash memory is read using the MOVC instruction. MOVX reads are always directed to XRAM, regardless
of the state of PSWE.
Note: To ensure the integrity of the Flash contents, the on-chip VDD Monitor must be enabled in any
system that includes code that writes and/or erases Flash memory from software. Furthermore,
there should be no delay between enabling the VDD Monitor and enabling the VDD Monitor as a
reset source. Any attempt to write or erase Flash memory while the VDD Monitor disabled will
cause a Flash Error device reset.
A write to Flash memory can clear bits but cannot set them; only an erase operation can set bits in Flash.
A byte location to be programmed must be erased before a new value can be written.
Write/Erase timing is automatically controlled by hardware. Note that on the 32 k Flash devices, 1024
bytes beginning at location 0x7C00 are reserved. Flash writes and erases targeting the reserved area
should be avoided.
13.1.1. Flash Lock and Key Functions
Flash writes and erases by user software are protected with a lock and key function. The Flash Lock and
Key Register (FLKEY) must be written with the correct key codes, in sequence, before Flash operations
may be performed. The key codes are: 0xA5, 0xF1. The timing does not matter, but the codes must be
written in order. If the key codes are written out of order, or the wrong codes are written, Flash writes and
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PDF描述 |
|---|---|
| MC68332ACPV16 | IC MCU 32BIT 16MHZ AMASK 144LQFP |
| MC68HC908QY4CDT | IC MCU 4K FLASH W/ADC 16-TSSOP |
| C8051F366-GQ | IC 8051 MCU 32K FLASH 32-LQFP |
| MC68HC908QY4CDW | IC MCU 4K FLASH W/ADC 16-SOIC |
| MC68HC908QY4CP | IC MCU 4K FLASH W/ADC 16-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C8051F362-GM2 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:Mixed Signal ISP Flash MCU Family |
| C8051F362-GMR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 100MIPS 10ADC 10DAC 28Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F363 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:Mixed Signal ISP Flash MCU Family |
| C8051F363-C-GQ | 功能描述:8051 C8051F36x Microcontroller IC 8-Bit 100MHz 32KB (32K x 8) FLASH 48-TQFP (7x7) 制造商:silicon labs 系列:C8051F36x 包装:托盘 零件状态:Not For New Designs 核心处理器:8051 核心尺寸:8-位 速度:100MHz 连接性:EBI/EMI，SMBus（2 线/I2C），SPI，UART/USART 外设:POR，PWM，WDT I/O 数:39 程序存储容量:32KB（32K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:1K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:- 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:48-TQFP 供应商器件封装:48-TQFP（7x7） 标准包装:250 |
| C8051F363-C-GQR | 功能描述:8051 C8051F36x Microcontroller IC 8-Bit 100MHz 32KB (32K x 8) FLASH 48-TQFP (7x7) 制造商:silicon labs 系列:C8051F36x 包装:带卷（TR） 零件状态:Not For New Designs 核心处理器:8051 核心尺寸:8-位 速度:100MHz 连接性:EBI/EMI，SMBus（2 线/I2C），SPI，UART/USART 外设:POR，PWM，WDT I/O 数:39 程序存储容量:32KB（32K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:- RAM 容量:1K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:- 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:48-TQFP 供应商器件封装:48-TQFP（7x7） 标准包装:500 |
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