参数资料
| 型号： | C8051T631-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 140/220页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8KB 20PIN QFN |
| 产品培训模块： | Serial Communication Overview |
| 标准包装： | 91 |
| 系列： | C8051T63x |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 25MHz |
| 连通性： | SMBus（2 线/I²C），SPI，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 17 |
| 程序存储器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 768 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | 336-1464-ND - KIT DEV FOR C8051T630 FAMILY |
| 其它名称： | 336-1459-5 |
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C8051T630/1/2/3/4/5
26
Rev. 1.0
Table 5.4. Reset Electrical Characteristics
–40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
RST Output Low Voltage
IOL = 8.5 mA,
VDD = 1.8 V to 3.6 V
——
0.6
V
RST Input High Voltage
0.75 x VDD
——
V
RST Input Low Voltage
—
0.6
VDD
RST Input Pullup Current
RST = 0.0 V
—
25
50
A
VDD POR Ramp Time
—
1
ms
VDD Monitor Threshold (VRST)
1.7
1.75
1.8
V
Missing Clock Detector
Timeout
Time from last system clock
rising edge to reset initiation
500
625
750
s
Reset Time Delay
Delay between release of any
reset source and code
execution at location 0x0000
——
60
s
Minimum RST Low Time to
Generate a System Reset
15
—
s
VDD Monitor Turn-on Time
VDD = VRST - 0.1 V
—
50
—
s
VDD Monitor Supply Current
—
20
30
A
Table 5.5. Internal Voltage Regulator Electrical Characteristics
–40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Input Voltage Range
1.8
—
3.6
V
Bias Current
Normal Mode
—
30
50
A
Table 5.6. EPROM Electrical Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
EPROM Size
C8051T630/1
81921
——
bytes
EPROM Size
C8051T632/3
4096
—
bytes
EPROM Size
C8051T634/5
2048
—
bytes
Write Cycle Time (per Byte)
105
155
205
s
Date Code 0935 and later
5.75
6.0
6.25
V
Date Code prior to 0935
6.25
6.375
6.5
V
Notes:
1. 512 bytes at location 0x1E00 to 0x1FFF are not available for program storage.
2. Refer to device errata for details.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| C8051T631-GMR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB 20Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051T632-GM | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB 10ADC DAC10 20 Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051T632-GMR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB 10ADC DAC10 20 Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051T633-GM | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB 20Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051T633-GMR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB 20Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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