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参数资料
| 型号： | CAT28F001G-12TT |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 1MBIT 120NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CAT28F001
SUPPLY CHARACTERISTICS
Limits
Symbol
V LKO
V CC
V PPL
V PPH
V HH
Parameter
V CC Erase/Write Lock Voltage
V CC Supply Voltage
V PP During Read Operations
V PP During Erase/Program
RP, OE Unlock Voltage
Min
2.5
4.5
0
11.4
11.4
Max.
5.5
6.5
12.6
12.6
Unit
V
V
V
V
V
A.C. CHARACTERISTICS, Read Operation
V CC = +5V ± 10%, unless otherwise specified
J E D E C
S t a n d a r d
2 8 F 0 0 1 - 9 0 ( 7 )
2 8 F 0 0 1 - 1 2 ( 7 )
S y m b o l
S y m b o l
P a r a m e t e r
M i n
M a x
M i n
M a x
U n i t s
t A V A V
t E L Q V
t A V Q V
t G L Q V
-
t R C
t C E
t A C C
t O E
t O H
R e a d C y c l e T i m e
C E A c c e s s T i m e
A d d r e s s A c c e s s T i m e
O E A c c e s s T i m e
O u t p u t H o l d f r o m A d d r e s s O E / C E C h a n g e
9 0
0
9 0
9 0
3 5
1 2 0
0
1 2 0
1 2 0
5 0
n s
n s
n s
n s
n s
t G L Q X
t O L Z
( 1 ) ( 6 )
O E t o O u t p u t i n L o w - Z
0
0
n s
t E L Q X
t L Z
( 1 ) ( 6 )
C E t o O u t p u t i n L o w - Z
0
0
n s
t G H Q Z
t D F
( 1 ) ( 2 )
O E H i g h t o O u t p u t H i g h - Z
3 0
3 0
n s
t E H Q Z
t H Z
( 1 ) ( 2 )
C E H i g h t o O u t p u t H i g h - Z
3 5
5 5
n s
t P H Q V
t P W H
R P H i g h t o O u t p u t D e l a y
6 0 0
6 0 0
n s
Figure 1. A.C. Testing Input/Output Waveform (3)(4)(5)
Figure 2. Highspeed A.C. Testing Input/Output
Waveform(3)(4)(5)
VCC - 0.3V
2.0 V
3.0 V
0.0 V
INPUT PULSE LEVELS
0.8 V
REFERENCE POINTS
0.0 V
INPUT PULSE LEVELS
1.5 V
REFERENCE POINTS
Testing Load Circuit (example)
1.3V
1N914
3.3K
Testing Load Circuit (example)
1.3V
1N914
3.3K
DEVICE
UNDER
TEST
CL = 100 pF
OUT
DEVICE
UNDER
TEST
CL = 30 pF
OUT
CL INCLUDES JIG CAPACITANCE
CL INCLUDES JIG CAPACITANCE
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) Output floating (High-Z) is defined as the state where the external data line is no longer driven by the output buffer.
(3) Input Rise and Fall Times (10% to 90%) < 10 ns.
(4) Input Pulse Levels = 0.45V and 2.4V. For High Speed Input Pulse Levels 0.0V and 3.0V.
(5) Input and Output Timing Reference = 0.8V and 2.0V. For High Speed Input and Output Timing Reference = 1.5V.
(6) Low-Z is defined as the state where the external data may be driven by the output buffer but may not be valid.
(7) For load and reference points, see Fig. 1
? 2008 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
5
Doc. No. MD-1078, Rev. K
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28F001G-12-T-T | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Flash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8bit 120ns 32-Pin PLCC T/R |
| CAT28F001G-90B | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001G-90BT | 功能描述:闪存 1 Megabit Boot Block 闪存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001G-90T | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001G-90TT | 功能描述:闪存 1 Megabit Boot Block 闪存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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