参数资料
型号: CAT28LV256G25
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/12页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 256KBIT 250NS 32PLCC
产品变化通告: Product Obsolescence 08/Apr/2011
标准包装: 32
格式 - 存储器: EEPROMs - 并行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 250ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 32-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 32-PLCC(11.43x13.97)
包装: 托盘
其它名称: 28LV256G-25
CAT28LV256G-25
CAT28LV256G-25-ND
CAT28LV256
D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
V CC = 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified
Limits
Symbol
I CC
Parameter
V CC Current (Operating, TTL)
Min.
Typ.
Max.
15
Units
mA
Test Conditions
CE = OE = V IL ,
f = 1/t RC min, All I/O’s Open
I SBC(2)
V CC Current (Standby, CMOS)
150
μ A
CE = V IHC ,
All I/O’s Open
I LI
I LO
Input Leakage Current
Output Leakage Current
–1
–5
1
5
μ A
μ A
V IN = GND to V CC
V OUT = GND to V CC ,
CE = V IH
V IH(2)
V IL
High Level Input Voltage
Low Level Input Voltage
2
–0.3
V CC +0.3
0.6
V
V
V OH
V OL
V WI
High Level Output Voltage
Low Level Output Voltage
Write Inhibit Voltage
2
2
0.3
V
V
V
I OH = –100 μ A
I OL = 1.0mA
A.C. CHARACTERISTICS, Read Cycle
V CC = 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified
28LV256-20
28LV256-25
28LV256-30
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max. Units
t RC
t CE
t AA
t OE
t LZ(1)
t OLZ(1)
t HZ(1)(3)
t OHZ(1)(3)
t OH(1)
Read Cycle Time
CE Access Time
Address Access Time
OE Access Time
CE Low to Active Output
OE Low to Active Output
CE High to High-Z Output
OE High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
200
0
0
0
200
200
80
50
50
250
0
0
0
250
250
100
55
55
300
0
0
0
300
300
110
60
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) V IHC = V CC –0.3V to V CC +0.3V.
(3) Output floating (High-Z) is defined as the state when the external data line is no longer driven by the output buffer.
Doc. No. MD-1071, Rev. E
4
? 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
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