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参数资料
| 型号： | CAT28LV256G25 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 256KBIT 250NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装： | 32 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 250ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 28LV256G-25 CAT28LV256G-25 CAT28LV256G-25-ND |
CAT28LV256
DEVICE OPERATION
Read
Data stored in the CAT28LV256 is transferred to the
data bus when WE is held high, and both OE and CE are
held low. The data bus is set to a high impedance state
when either CE or OE goes high. This 2-line control
architecture can be used to eliminate bus contention in
a system environment.
Figure 3. Read Cycle
tRC
ADDRESS
tCE
CE
tOE
OE
VIH
Byte Write
A write cycle is executed when both CE and WE are low,
and OE is high. Write cycles can be initiated using either
WE or CE , with the address input being latched on the
falling edge of WE or CE , whichever occurs last. Data,
conversely, is latched on the rising edge of WE or CE ,
whichever occurs first. Once initiated, a byte write cycle
automatically erases the addressed byte and the new
data is written within 10 ms.
WE
tLZ
tOHZ
tOLZ
tOH
tHZ
DATA OUT
HIGH-Z
DATA VALID
DATA VALID
tAA
28LV256 F06
Figure 4. Byte Write Cycle [ WE Controlled]
ADDRESS
tWC
CE
OE
tAS
tCS
tAH
tCH
tOES
tWP
tOEH
WE
tBLC
DATA OUT
DATA IN
HIGH-Z
DATA VALID
tDS
tDH
28LV256 F07
Doc. No. MD-1071, Rev. E
6
? 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28LV256G-25 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Catalyst Semiconductor 功能描述: |
| CAT28LV256G-25T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K-Bit Parallel 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV256G-30 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (32kx8) 256K 3V 300 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV256G-30T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K-Bit Parallel 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV256GI25 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (32kx8) 256K 3V 250 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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