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参数资料
| 型号： | CAT28LV256G25 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 256KBIT 250NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装： | 32 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 250ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 28LV256G-25 CAT28LV256G-25 CAT28LV256G-25-ND |
CAT28LV256
Figure 1. A.C. Testing Input/Output Waveform (2)
VCC - 0.3V
INPUT PULSE LEVELS
0.0 V
Figure 2. A.C. Testing Load Circuit (example)
DEVICE
UNDER
TEST
2.0 V
0.6 V
V cc
1.8K
REFERENCE POINTS
OUTPUT
28LV256 F04
1.3K
CL = 100 pF
CL INCLUDES JIG CAPACITANCE
28LV256 F05
A.C. CHARACTERISTICS, Write Cycle
V CC = 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified
28LV256-20
28LV256-25
28LV256-30
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max. Units
t WC
t AS
t AH
t CS
t CH
t CW(3)
t OES
t OEH
t WP(3)
t DS
t DH
Write Cycle Time
Address Setup Time
Address Hold Time
CE Setup Time
CE Hold Time
CE Pulse Time
OE Setup Time
OE Hold Time
WE Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
10
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
10
0
100
0
0
150
0
0
150
50
0
10
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t INIT(1)
t BLC(1)(4)
Write Inhibit Period After Power-up
Byte Load Cycle Time
5
0.15
10
100
5
0.15
10
100
5
0.15
10
100
ms
μ s
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) Input rise and fall times (10% and 90%) < 10 ns.
(3) A write pulse of less than 20ns duration will not initiate a write cycle.
(4) A timer of duration t BLC max. begins with every LOW to HIGH transition of WE . If allowed to time out, a page or byte write will begin;
however a transition from HIGH to LOW within t BLC max. stops the timer.
? 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
5
Doc. No. MD-1071, Rev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASC25DRYI-S13 | CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND |
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| ABC31DRYH-S13 | CONN EDGECARD 62POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28LV256G-25 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Catalyst Semiconductor 功能描述: |
| CAT28LV256G-25T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K-Bit Parallel 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV256G-30 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (32kx8) 256K 3V 300 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV256G-30T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K-Bit Parallel 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV256GI25 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (32kx8) 256K 3V 250 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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