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参数资料
| 型号： | CAT28LV256NA-25T |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32K X 8 EEPROM 3V, 250 ns, PQCC32 |
| 封装： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | CAT28LV256NA-25T |
CAT28LV256
4
Doc. No. 1071, Rev. B
D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
VCC = 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified
Limits
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
ICC
VCC Current (Operating, TTL)
15
mA
CE = OE = VIL,
f = 1/tRC min, All I/O’s Open
ISBC(2)
VCC Current (Standby, CMOS)
150
A
CE = VIHC,
All I/O’s Open
ILI
Input Leakage Current
–1
1
AVIN = GND to VCC
ILO
Output Leakage Current
–5
5
AVOUT = GND to VCC,
CE = VIH
VIH(2)
High Level Input Voltage
2
VCC +0.3
V
VIL
Low Level Input Voltage
–0.3
0.6
V
VOH
High Level Output Voltage
2
V
IOH = –100
A
VOL
Low Level Output Voltage
0.3
V
IOL = 1.0mA
VWI
Write Inhibit Voltage
2
V
A.C. CHARACTERISTICS, Read Cycle
VCC = 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified
28LV256-20
28LV256-25
28LV256-30
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max. Units
tRC
Read Cycle Time
200
250
300
ns
tCE
CE Access Time
200
250
300
ns
tAA
Address Access Time
200
250
300
ns
tOE
OE Access Time
80
100
110
ns
tLZ(1)
CE Low to Active Output
0
ns
tOLZ(1)
OE Low to Active Output
0
ns
tHZ(1)(3)
CE High to High-Z Output
50
55
60
ns
tOHZ(1)(3)
OE High to High-Z Output
50
55
60
ns
tOH(1)
Output Hold from Address Change
0
ns
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) VIHC = VCC –0.3V to VCC +0.3V.
(3) Output floating (High-Z) is defined as the state when the external data line is no longer driven by the output buffer.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CAT28LV256P-25 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (32kx8) 256K 3V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV256P-30 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (32kx8) 256K 3V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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