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参数资料
| 型号： | CDST-99-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 108K |
| 描述： | DIODE SWITCHING 70V 200MA SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Small
Signal
Switching
Diodes
Reverse V
oltage: 70 Volts
Forward Current: 200 mA
RoHS Device
Page 1
REV:E
Features
-Design for mounting on small surface.
-High speed switching.
-High mounting capability
, strong surge
withstand, high reliability.
Mechanical data
-Case: SOT
-23, molded plastic.
-T
erminals: solderable per MIL-STD-750,
method 2026.
-Approx. weight: 0.0078 grams
Circuit diagram
CDST-99-G/70-G/56-G
Maximum Ratings
(at Ta=25°C unless otherwise noted)
QW-B0002
Comchip Technology CO., LTD.
Reverse voltage
Forward current
Peak surge forward current
Power dissipation
Thermal resistance, junction to ambient
Maximum junction temperature
Storage temperature
Units
Symbol
Parameter
VR
IF
IFSM
PD
RθJA
TJ
TSTG
Value
70
200
500
225
556
150
-55 to
+150
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C/W
1
2
3
CDST-99-G
Marking Code: A7
1
2
3
CDST-70-G
Marking Code: A4
1
2
3
CDST-56-G
Marking Code: A1
Reverse breakdown voltage
Forward voltage
Reverse current
Reverse recovery time
Diode capacitance
Units
Symbol
Parameter
VBR
VF
IR
trr
CT
Conditions
Max.
IR=100μA
@IF=1mA
@IF=10mA
@IF=50mA
@IF=150mA
@VR=70V
IF=IR=10mA, Irr=0.1×IR,
RL=100Ω
VR=0V, f=1.0MHz
0.715
0.855
1.0
1.25
2.5
6
1.5
V
V
μA
nS
pF
Min.
70
Electrical Characteristics
(at Ta=25°C unless otherwise noted)
Dimensions
in
inches
and
(millimeter)
SOT-23
3
1
2
0.119(3.00)
0.110(2.80)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.079(2.00)
0.071(1.80)
0.041(1.05)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
0.004(0.10) max
0.008(0.20) min
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDST-99-HF | DIODE SWITCHING 70V 200MA SOT23 |
| CDSV3-99-G | DIODE SWITCHING 75V 300MA SOT323 |
| CDSV6-4148-G | DIODE SWITCHING 75V 0.15A SOT363 |
| CDSV6-99SD-G | DIODE SWITCH 75V 215MA SOT-363 |
| CGH40006P | TRANS 8W RF GAN HEMT 440109 PKG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDST-99-G_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small Signal Switching Diodes |
| CDST-99-HF | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=70V, IF=200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CDSU101A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100mA 80V Sm Sgnl Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CDSU101A-HF | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR:80V,IO:100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CDSU101AS-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode |
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