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参数资料
| 型号： | CDSV6-4148-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 64K |
| 描述： | DIODE SWITCHING 75V 0.15A SOT363 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 150mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CDSV6-16-G/4148-G
Features
-Fast switching speed.
-For general purpose swicthing applications.
-High conductance.
Marking: KA2
Diagram:
Page 1
QW-B0032
SMD Switching Diode Arrays
Forward Current: 0.15A
Reverse Voltage: 75V
RoHS Device
Maximum Ratings
(at TA=25°C unless otherwise noted)
REV:A
Electrical Characteristics
(at TA=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SOT-363
Dimensions in inches and (millimeters)
Non-repetitive peak reverse voltage
Peak repetitive peak reverse voltage
Working peak reverse voltage
DC blocking voltage
RMS reverse voltage
Forward continuous current
Averaged rectified output current
Peak forward surge current @t=1.0μS
@t=1.0S
Power dissipation
Thermal resistance, junction to ambient air
Operation and storage temperature range
Reverse breakdown voltage
Forward voltage
Reverse leakage current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
C1
C2
C3
A1
A2
A3
IR=1μA
IF=1mA
IF=10mA
IF=50mA
IF=150mA
VR=20V
VR=75V
VR=0V, f=1.0MHz
IF=IR=10mA
to I
rr=0.1×IR, RL=100Ω
V(BR)R
VF1
VF2
VF3
VF4
IR1
IR2
CT
trr
75
0.715
0.855
1.0
1.25
25
1
2
4
V
V
nA
μA
pF
nS
0.087(2.20)
0.071(1.80)
0.053(1.35)
0.045(1.15)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.014(0.35)
0.006(0.15)
0.004(0.10)max
0.010(0.25)min
0.096(2.45)
0.085(2.15)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
VRM
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IFM
IO
IFSM
PD
RθJA
TJ, TSTG
100
75
53
300
150
2.0
1.0
200
625
-65 ~ +150
V
V
V
mA
mA
A
mW
O
C/W
OC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDSV6-99SD-G | DIODE SWITCH 75V 215MA SOT-363 |
| CGH40006P | TRANS 8W RF GAN HEMT 440109 PKG |
| CGH40006S | FET RF HEMT 6GHZ 28V 3X3QFN |
| CGH40010P | TRANS 10W RF GAN HEMT 440196 |
| CGH40025F | TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDSV6-4448A2 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Surface Mount Fast Switching Diode Array |
| CDSV6-4448AD | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small-Signal Switching Diode |
| CDSV6-4448AD-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small Signal Schottky Diodes |
| CDSV6-4448AQ | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small-Signal Switching Diode |
| CDSV6-4448AQ-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=80V, IF=500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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