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参数资料
| 型号： | CDSV6-99SD-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 65K |
| 描述： | DIODE SWITCH 75V 215MA SOT-363 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.5µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Small
Signal
Switching
Diodes
Reverse V
oltage: 75 Volts
Forward Current: 215 mA
RoHS Device
Page 1
REV:A
Features
-Design for mounting on small surface.
-High speed switching.
-Ultra small surface mount package.
-T
wo BAV99 circuits in one package.
Mechanical data
-Case: SOT
-363, molded plastic.
-T
erminals: solderable per MIL-STD-750,
method 2026.
-Approx. weight: 0.006 grams
Circuit diagram
CDSV6-99SD-G
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
a=25
OC unless otherwise noted)
(at T
Dimensions
in
inches
and
(millimeter)
QW-B0008
Comchip Technology CO., LTD.
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
Peak surge forward current
Power dissipation
Maximum forward voltage
Maximum reverse current
Maximum reverse recovery time
Typical diode capacitance
Maximum junction temperature
Storage temperature
Units
Symbol
Parameter
VRRM
VR
IF
IFSM
PD
VF
IR
Trr
CT
TJ
TSTG
Conditions
Value
T=1.0 μS
@IF=1mA
@IF=10mA
@IF=50mA
@IF=100mA
@VR=20V
@VR=75V
=150
OC
@VR=25V, TJ
=150
O
C
@VR=75V, TJ
IF=IR=10mA, RL=100Ω
VR=0V, f=1.0MHz
75
75
215
2
200
0.715
0.855
1.0
1.25
0.025
2.5
30
50
4
2
150
-55 to +150
V
V
mA
A
mW
V
μA
nS
pF
OC
OC
SOT-363
0.087(2.20)
0.071(1.80)
0.053(1.35)
0.045(1.15)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.012(0.30)
0.006(0.15)
0.004(0.10)max
0.010(0.25)min
0.087(2.20)
0.078(2.00)
0.010(0.25)
0.004(0.10)
CDSV6-99SD-G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CGH40006P | TRANS 8W RF GAN HEMT 440109 PKG |
| CGH40006S | FET RF HEMT 6GHZ 28V 3X3QFN |
| CGH40010P | TRANS 10W RF GAN HEMT 440196 |
| CGH40025F | TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG |
| CGH40035F | TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDSV6-99SD-G_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small Signal Switching Diodes |
| CDSW16-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode |
| CDSW16-G_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode |
| CDSW19-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=100V, IF=200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CDSW19-G_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode |
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