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参数资料
| 型号： | CGH40006S |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 1231K |
| 描述： | FET RF HEMT 6GHZ 28V 3X3QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | GaN |
| 晶体管类型： | HEMT |
| 频率： | 0Hz ~ 6GHz |
| 增益： | 12dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 84V |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-QFN-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | CGH40006SDKR |
1
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www.cree.com/wireless
CGH40006S
6 W, RF Power GaN HEMT, Plastic
Cree’s CGH40006S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron
mobility transistor (HEMT). The CGH40006S, operating from a 28 volt rail,
offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave
applications. GaN HEMTs offer high effciency, high gain and wide bandwidth
capabilities making the CGH40006S ideal for linear and compressed amplifer
circuits. The transistor is available in a 3mm x 3mm, surface
mount, quad-fat-no-lead (QFN) package.
R
e
v
1
.
6
–
A
p
r
i
l
2
0
1
2
FEATURES
?
Up to 6 GHz Operation
?
13 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
11 dB Small Signal Gain at 6.0 GHz
?
8 W typical at PIN
= 32 dBm
?
65 % Effciency at PIN
= 32 dBm
?
28 V Operation
?
3mm x 3mm Package
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Types: 440203
PN’s: CGH40006S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| CGH40120F | TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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