参数资料
型号: CGH40120F
厂商: Cree Inc
文件页数: 1/12页
文件大小: 926K
描述: TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG
标准包装: 24
系列: GaN
晶体管类型: HEMT
频率: 0Hz ~ 4GHz
增益: 19dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 28A
电流 - 测试: 1A
功率 - 输出: 120W
电压 - 额定: 84V
封装/外壳: 440193
供应商设备封装: 440193
包装: 管件
配用: CGH40120F-TB-ND - BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40120
其它名称: CGH40120FE
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www.cree.com/rf
CGH40120F
120 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high
electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating
from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution
to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer
high effciency, high gain and wide bandwidth capabilities making
the CGH40120F ideal for linear and compressed amplifer circuits.
The transistor is available in a fange package.
R
e
v
2
.
7
-
A
u
g
u
s
t
2
0
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4
FEATURES
?
Up to 2.5 GHz Operation
?
20 dB Small Signal Gain at 1.0 GHz
?
15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
120 W Typical PSAT
?
70 % Effciency at PSAT
?
28 V Operation
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Types: 440193
PN: CGH40120F
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PDF描述
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CLA1B-MKW-XD0E0E83 CREE PLCC4 SMD LED WHITE
CLN6A-WKW-CK0L0453 LED COOL WHITE 5X5MM SMD
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参数描述
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