参数资料
型号: CGH40120F
厂商: Cree Inc
文件页数: 7/12页
文件大小: 926K
描述: TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG
标准包装: 24
系列: GaN
晶体管类型: HEMT
频率: 0Hz ~ 4GHz
增益: 19dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 28A
电流 - 测试: 1A
功率 - 输出: 120W
电压 - 额定: 84V
封装/外壳: 440193
供应商设备封装: 440193
包装: 管件
配用: CGH40120F-TB-ND - BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40120
其它名称: CGH40120FE
4
CGH40120F Rev 2.7
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/rf
Copyright ? 2008-2014 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree and
the Cree logo are registered trademarks of Cree, Inc.
Typical 800 MHz - 1300 MHz Performance
Gain, Output Power, and Power Added Effciency vs Frequency of the CGH40120F
measured in 0.8-1.3 GHz Amplifer Circuit 03-000255.
VDD
= 28 V, I
DQ
= 1.0 A
Typical Digital Video Broadcast (DVB) Performance
Output Power and Power Added Effciency vs Frequency of the CGH40120F
measured in DVB Amplifer Circuit 03-000256.
VDD
= 32 V, I
DQ
= 1.0 A
6565
70
75
80
140
150
160
P
o
w
e
r
A
d
d
e
d
E
f
f
i
c
i
e
n
c
y
(
P
A
E
)
(
%
)
O
u
t
p
u
t
P
o
w
e
r
(
W
)
50
55
60
100
110
120
130
1350 1375 1400 1425 1450 1475 1500 1525 1550
P
o
w
e
r
A
d
d
e
d
E
f
f
i
c
i
e
n
c
y
(
P
A
E
)
(
%
)
O
u
t
p
u
t
P
o
w
e
r
(
W
)
Frequency (MHz)
Output Power (W)
PAE (%)
7575
100
125
150
1515
20
25
30
P
o
w
e
r
(
W
)
,
P
A
E
(
%
)
G
a
i
n
(
d
B
)
0
25
50
0
5
10
750 800 850 900 950 1000 1050 1100 1150 1200 1250 1300 1350
P
o
w
e
r
(
W
)
,
P
A
E
(
%
)
G
a
i
n
(
d
B
)
Frequency (MHz)
Small Signal Gain (dB)
Assoc. Gain (dB)
Psat (W)
PAE (%)
Gain (Assoc)
Gain (SS)
PAE
PSAT
相关PDF资料
PDF描述
CGH40180PP TRANS 180W RF GAN HEMT 440199PKG
CGH55015F2 FET RF HEMT 5.65GHZ 84V 440166
CGH55030F2 FET RF HEMT 6GHZ 28V 440166
CLA1B-MKW-XD0E0E83 CREE PLCC4 SMD LED WHITE
CLN6A-WKW-CK0L0453 LED COOL WHITE 5X5MM SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
CGH40120F-TB 功能描述:BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40120 RoHS:否 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 评估和开发套件,板 系列:GaN 标准包装:1 系列:- 类型:GPS 接收器 频率:1575MHz 适用于相关产品:- 已供物品:模块 其它名称:SER3796
CGH40180PP 功能描述:TRANS 180W RF GAN HEMT 440199PKG RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:GaN 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
CGH40180PP-TB 功能描述:BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40180 RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 评估和开发套件,板 系列:GaN 标准包装:1 系列:- 类型:GPS 接收器 频率:1575MHz 适用于相关产品:- 已供物品:模块 其它名称:SER3796
CGH402T350X3L 功能描述:铝质电解电容器-螺旋式接线端 4000uF 350V-10+50% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 电容:2400 uF 容差:- 10 %, + 50 % 电压额定值:450 V ESR:38 mOhms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 系列:CGS 直径:76 mm (3 in) 长度:143 mm (5.625 in) 引线间隔:31.75 mm (1.25 in) 产品:Computer Grade Electrolytic Capacitors
CGH412T250V4L 功能描述:铝质电解电容器-螺旋式接线端 4100uF 250V-10+50% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 电容:2400 uF 容差:- 10 %, + 50 % 电压额定值:450 V ESR:38 mOhms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 系列:CGS 直径:76 mm (3 in) 长度:143 mm (5.625 in) 引线间隔:31.75 mm (1.25 in) 产品:Computer Grade Electrolytic Capacitors