参数资料
型号: CGH40035F
厂商: Cree Inc
文件页数: 1/13页
文件大小: 1109K
描述: TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG
标准包装: 120
系列: GaN
晶体管类型: HEMT
频率: 0Hz ~ 4GHz
增益: 14dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10.5A
电流 - 测试: 500mA
功率 - 输出: 45W
电压 - 额定: 84V
封装/外壳: 440193
供应商设备封装: 440193
包装: 管件
产品目录页面: 558 (CN2011-ZH PDF)
配用: CGH40035F-TB-ND - BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40035
其它名称: CGH40035FE
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www.cree.com/rf
CGH40035F
35 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40035F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron
mobility transistor (HEMT). The CGH40035F, operating from a 28 volt
rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and
microwave applications. GaN HEMTs offer high effciency, high gain and
wide bandwidth capabilities making the CGH40035F ideal for linear
and compressed amplifer circuits. The transistor is available in a
screw-down, fange package.
R
e
v
3
.
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A
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s
t
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FEATURES
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Up to 4 GHz Operation
?
15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
13 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
?
45 W typical PSAT
?
60 % Effciency at PSAT
?
28 V Operation
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Type: 440193
PN: CGH40035F
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PDF描述
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