参数资料
型号: CDSV6-99SD-G
厂商: Comchip Technology
文件页数: 2/2页
文件大小: 65K
描述: DIODE SWITCH 75V 215MA SOT-363
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2.5µA @ 75V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 215mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 75V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 对串联
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 带卷 (TR)
QW-B0008
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (CDSV6-99SD-G)
Forward Voltage, (V)
1.5
0.5
0
Fig.1 - Forward Characteristics
1
10
100
1000
F
r
a
d
u
r
e
n
t
,
m
A
)
o
w
r
C
r
(
Reverse Voltage, (V)
0
Fig.2
-
Reverse Characteristics
0.1n
e
e
s
e
C
r
r
e
n
t
,
(
A
)
R
v
r
u
1n
10n
100n
40
Reverse Voltage, (V)
0
Fig.3
-
Capacitance Between Terminals
Characteristics
0
C
a
p
a
c
t
a
c
B
e
t
e
e
n
T
e
r
m
i
n
l
s
,
(
p
)
i
n
e
w
a
F
1.0
2.0
30
50
Ambient Temperature, (°C)
Fig.4
-
Power Derating Curve
0
P
o
w
e
r
D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n
,
(
m
W
)
150
300
Comchip Technology CO., LTD.
Page 2
REV:A
60
100
0
100
175
20
80
100
10
25
50
75
150
125
200
20
Small
Signal
Switching
Diodes
50
250
Mounted on glass
epoxy PCBs
1.0
10μ
=150
OC
TA
=75
OC
TA
=25
OC
TA
=0
OC
TA
=-40
OC
TA
=125
OC
TA
=-40
OC
TA
=25
OC
TA
=75
OC
TA
=0
OC
TA
=25
OC
TJ
f=1MHz
40
相关PDF资料
PDF描述
CGH40006P TRANS 8W RF GAN HEMT 440109 PKG
CGH40006S FET RF HEMT 6GHZ 28V 3X3QFN
CGH40010P TRANS 10W RF GAN HEMT 440196
CGH40025F TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG
CGH40035F TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG
相关代理商/技术参数
参数描述
CDSV6-99SD-G_12 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small Signal Switching Diodes
CDSW16-G 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode
CDSW16-G_12 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode
CDSW19-G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 VR=100V, IF=200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
CDSW19-G_12 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode