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参数资料
| 型号： | CDSV6-4148-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 64K |
| 描述： | DIODE SWITCHING 75V 0.15A SOT363 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 150mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ELECTRICAL
CHARACTERISTIC CUR
VES (CDSV6-16-G/4148-G
)
Page 2
QW-B0032
REV:A
Fig.2
-
Reverse Characteristics
0.1
I
R
,
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
R
e
v
e
r
s
e
C
u
r
r
e
n
t
(
n
A
)
VR, Instantaneous Reverse Voltage (V)
0
Fig.1 - Forward Characteristics
I
F
,
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
VF, Instantaneous Forward Voltage (V)
0
0.5
1.0
1.5
Fig.3
-
Capacitance Between
Terminals Characteristics
0
C
T
,
C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e
B
e
t
w
e
e
n
T
e
r
m
i
n
a
l
s
(
p
F
)
VR, Reverse Voltage (V)
1.2
2.0
0
10
20
0.001
0.01
0.1
60
30
40
40
100
1
10
100
1000
10000
1
=150
OC
TA
=75
OC
TA
=25
OC
TA
=0
OC
TA
=-40
OC
TA
20
80
=150
OC
TA
=125
OC
TA
=75
OC
TA
=25
OC
TA
=0
OC
TA
=-40
OC
TA
0.4
0.8
1.6
f=1MHz
SMD Switching Diode Arrays
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDSV6-99SD-G | DIODE SWITCH 75V 215MA SOT-363 |
| CGH40006P | TRANS 8W RF GAN HEMT 440109 PKG |
| CGH40006S | FET RF HEMT 6GHZ 28V 3X3QFN |
| CGH40010P | TRANS 10W RF GAN HEMT 440196 |
| CGH40025F | TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDSV6-4448A2 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Surface Mount Fast Switching Diode Array |
| CDSV6-4448AD | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small-Signal Switching Diode |
| CDSV6-4448AD-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small Signal Schottky Diodes |
| CDSV6-4448AQ | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Small-Signal Switching Diode |
| CDSV6-4448AQ-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=80V, IF=500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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