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参数资料
| 型号： | CGD914MI |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 衰减器 |
| 英文描述： | CATV amplifier module(CATV放大器模块) |
| 中文描述： | 40 MHz - 870 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封装： | SOT-115J, 7 PIN |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | CGD914MI |
2000 Jul 25
5
Philips Semiconductors
Product specification
CATV amplifier modules
CGD914; CGD914MI
handbook, halfpage
CTB
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
70
90
100
80
52
48
40
36
44
400
600
800
MCD976
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.2
Composite triple beat as a function of
frequency under tilted conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs; tilt = 7.3 dB (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
handbook, halfpage
Xmod
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
70
90
100
80
52
48
40
36
44
400
600
800
MCD977
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.3
Crossmodulationasafunctionoffrequency
under tilted conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs; tilt = 7.3 dB (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
handbook, halfpage
CSO
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
MCD978
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.4
Composite second order distortion (sum)
as a function of frequency under tilted
conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs; tilt = 7.3 dB (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
handbook, halfpage
CSO
(dB)
0
1000
60
70
80
90
100
54
50
46
42
38
34
200
400
Vo
(dBmV)
f (MHz)
600
800
MCD979
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.5
Composite second order distortion (diff) as
a function of frequency under tilted
conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs; tilt = 7.3 dB (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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