参数资料
型号: CGD914MI
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 衰减器
英文描述: CATV amplifier module(CATV放大器模块)
中文描述: 40 MHz - 870 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封装: SOT-115J, 7 PIN
文件页数: 6/16页
文件大小: 128K
代理商: CGD914MI
2000 Jul 25
6
Philips Semiconductors
Product specification
CATV amplifier modules
CGD914; CGD914MI
handbook, halfpage
0
70
80
90
200
CTB
(dB)
48
44
40
36
Vo
(dBmV)
f (MHz)
1000
400
600
800
MCD980
(2)
(3)
(4)
(1)
Fig.6
Composite triple beat as a function of
frequency under flat conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs flat (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
handbook, halfpage
0
70
80
90
200
Xmod
(dB)
48
44
40
36
Vo
(dBmV)
f (MHz)
1000
400
600
800
MCD981
(2)
(3)
(4)
(1)
Fig.7
Crossmodulationasafunctionoffrequency
under flat conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs flat (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
handbook, halfpage
CSO
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
60
80
90
70
48
44
36
32
40
400
600
800
MCD982
(2)
(3)
(4)
(1)
Fig.8
Compositesecondorderdistortion(sum)as
a function of frequency under flat
conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs flat (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
handbook, halfpage
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
CSO
(dB)
200
1000
60
80
90
70
48
44
36
32
40
400
600
800
MCD983
(2)
(3)
(4)
(1)
Fig.9
Composite second order distortion (diff) as
a function of frequency under flat
conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs flat (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
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