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参数资料
| 型号： | CGH40025F-TB |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 2586K |
| 描述： | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40025 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | GaN |
| 类型： | HEMT |
| 频率： | 0Hz ~ 6GHz |
| 适用于相关产品： | CGH40025F/ CGH40025P |
| 已供物品： | 板 |
| 产品目录页面： | 558 (CN2011-ZH PDF) |
| 相关产品： | CGH40025F-ND - TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG |
1
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www.cree.com/wireless
CGH40025
25 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40025 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron
mobility transistor (HEMT). The CGH40025, operating from a 28 volt
rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF
and microwave applications. GaN HEMTs offer high effciency, high
gain and wide bandwidth capabilities making the CGH40025 ideal for
linear and compressed amplifer circuits. The transistor is available
in a screw-down, fange package and solder-down, pill packages.
R
e
v
3
.
3
–
A
p
r
i
l
2
0
1
2
FEATURES
?
Up to 6 GHz Operation
?
15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
13 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
?
30 W typical PSAT
?
62 % Effciency at PSAT
?
28 V Operation
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Type: 440196 and 440166
PN: CGH40025P and CGH40025F
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PDF描述 |
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参数描述 |
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