参数资料
型号: CGH40025F-TB
厂商: Cree Inc
文件页数: 12/13页
文件大小: 2586K
描述: BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40025
标准包装: 1
系列: GaN
类型: HEMT
频率: 0Hz ~ 6GHz
适用于相关产品: CGH40025F/ CGH40025P
已供物品:
产品目录页面: 558 (CN2011-ZH PDF)
相关产品: CGH40025F-ND - TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG
8
CGH40025 Rev 3.3
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/wireless
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CGH40025-TB Demonstration Amplifer Circuit
Bill of Materials
Designator
Description
Qty
R2
RES,1/16W,0603,1%,47 OHMS
1
R1
RES,1/16W,0603,1%,100 OHMS
1
C6
CAP, 470PF, 5%,100V, 0603
1
C16
CAP, 33 UF, 20%, G CASE
1
C15
CAP, 1.0UF, 100V, 10%, X7R, 1210
1
C8
CAP 10UF 16V TANTALUM
1
C13
CAP, 100.0pF, +/-5%, 0603
1
C1
CAP, 0.8pF, +/-0.1pF, 0603
1
C2
CAP, 0.5pF, +/-0.05pF, 0603
1
C9,C10
CAP, 1.0pF, +/-0.1pF, 0603
2
C4,C11
CAP, 10.0pF,+/-5%, 0603
2
C5,C12
CAP, 39pF, +/-5%, 0603
2
C7,C14
CAP,33000PF, 0805,100V, X7R
2
J3,J4
CONN SMA STR PANEL JACK RECP
2
J1
HEADER RT>PLZ .1CEN LK 5POS
1
-
PCB, RO4350B, Er = 3.48, h = 20 mil
1
-
CGH40025F or CGH40025P
1
CGH40025-TB Demonstration Amplifer Circuit
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