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参数资料
| 型号： | CGH40025F |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 2586K |
| 描述： | TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG |
| 标准包装： | 144 |
| 系列： | GaN |
| 晶体管类型： | HEMT |
| 频率： | 0Hz ~ 6GHz |
| 增益： | 13dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 7A |
| 电流 - 测试： | 250mA |
| 功率 - 输出： | 30W |
| 电压 - 额定： | 84V |
| 封装/外壳： | 440166 |
| 供应商设备封装： | 440166 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 558 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | CGH40025F-TB-ND - BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40025 |
| 其它名称： | CGH40025FE |
6
CGH40025 Rev 3.3
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/wireless
Copyright ? 2007-2012 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree and
the Cree logo are registered trademarks of Cree, Inc.
Source and Load Impedances
Frequency (MHz)
Z Source
Z Load
500
7.75 + j15.5
20 + j5.2
1000
3.11 + j5.72
17 + j6.66
1500
2.86 + j1.63
16.8 + j3.2
2500
2.4 - j3.52
8.02 + j4.32
3500
1.31 - j7.3
5.85 - j0.51
Note 1. VDD
= 28V, I
DQ
= 250mA in the 440166 package.
Note 2. Optimized for power gain, PSAT and PAE.
Note 3. When using this device at low frequency, series resistors
should be used to maintain amplifer stability.
CGH40025 Power Dissipation De-rating Curve
Note 1. Area exceeds Maximum Case Operating Temperature (See Page 2).
D
Z Source
Z Load
G
S
20
25
30
P
o
w
e
r
D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n
(
W
)
CGH40025F CW Power Dissipation De-rating Curve
0
5
10
15
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250
P
o
w
e
r
D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n
(
W
)
Maximum Case Temperature (°C)
Note 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CGH40035F | TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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