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参数资料
| 型号： | CGH40035F-TB |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 描述： | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40035 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | GaN |
| 类型： | HEMT |
| 频率： | 0Hz ~ 6GHz |
| 适用于相关产品： | CGH40035F |
| 已供物品： | 板 |
| 产品目录页面： | 558 (CN2011-ZH PDF) |
| 相关产品： | CGH40035F-ND - TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG |
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www.cree.com/rf
CGH40035F
35 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40035F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron
mobility transistor (HEMT). The CGH40035F, operating from a 28 volt
rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and
microwave applications. GaN HEMTs offer high effciency, high gain and
wide bandwidth capabilities making the CGH40035F ideal for linear
and compressed amplifer circuits. The transistor is available in a
screw-down, fange package.
R
e
v
3
.
4
–
A
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s
t
2
0
1
3
FEATURES
?
Up to 4 GHz Operation
?
15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
13 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
?
45 W typical PSAT
?
60 % Effciency at PSAT
?
28 V Operation
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Type: 440193
PN: CGH40035F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CGH55030F-TB | RF EVAL HEMT AMPLIFIER |
| TC25L3A32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 3.3V SMD |
| SX1211-11SKA868 | KIT STARTER FOR SX1211 868MHZ |
| TC25V3C32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.5V SMD |
| CGH40180PP-TB | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40180 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CGH40045 | 制造商:CREE 制造商全称:Cree, Inc 功能描述:45 W, RF Power GaN HEMT |
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| CGH40090PP | 制造商:Cree 功能描述:TRANS 90W RF GAN HEMT 440199 PKG |
| CGH40090PP-TB | 制造商:Cree 功能描述:BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40090 |
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