参数资料
型号: CGH40045F
厂商: Cree Inc
文件页数: 10/14页
文件大小: 1227K
描述: TRANS 45W RF GAN HEMT 440193 PKG
标准包装: 120
系列: GaN
晶体管类型: HEMT
频率: 0Hz ~ 4GHz
增益: 14dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 14A
电流 - 测试: 400mA
功率 - 输出: 55W
电压 - 额定: 84V
封装/外壳: 440193
供应商设备封装: 440193
包装: 管件
产品目录页面: 558 (CN2011-ZH PDF)
配用: CGH40045F-TB-ND - BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40045
其它名称: CGH40045FE
5
CGH40045 Rev 3.7
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/rf
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Typical Performance
Pulsed Gain and Output Power vs Input Power of
the CGH40045 measured in an Amplifer Circuit
VDD
= 28 V, I
DQ
= 800 mA, Freq = 3.6 GHz, Pulse Width=200μS, 10% Duty Cycle
Single Tone CW Gain, Effciency, and Output Power vs Input Power of
the CGH40045 measured in an Amplifer Circuit
VDD
= 28 V, I
DQ
= 800 mA, Freq = 3.6 GHz
Gain (dB)
Output Power (dBm)
Input Power (dBm)
POUT
Gain
7
8
9
10
11
12
13
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
60
Gain (dB)
Drain Effciency (%)
Output Power (dBm)
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Input Power
POUT
Gain
Effciency
7
8
9
10
11
12
13
0
10
20
30
40
50
60
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