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参数资料
| 型号： | CGH40120F-TB |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 926K |
| 描述： | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40120 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | GaN |
| 类型： | HEMT |
| 频率： | 0Hz ~ 4GHz |
| 适用于相关产品： | CGH40120F |
| 已供物品： | 板 |
| 相关产品： | CGH40120F-ND - TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG |
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www.cree.com/rf
CGH40120F
120 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high
electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating
from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution
to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer
high effciency, high gain and wide bandwidth capabilities making
the CGH40120F ideal for linear and compressed amplifer circuits.
The transistor is available in a fange package.
R
e
v
2
.
7
-
A
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g
u
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2
0
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4
FEATURES
?
Up to 2.5 GHz Operation
?
20 dB Small Signal Gain at 1.0 GHz
?
15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
120 W Typical PSAT
?
70 % Effciency at PSAT
?
28 V Operation
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Types: 440193
PN: CGH40120F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| CGH40035F-TB | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40035 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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