参数资料
型号: CGH40120F-TB
厂商: Cree Inc
文件页数: 6/12页
文件大小: 926K
描述: BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40120
标准包装: 1
系列: GaN
类型: HEMT
频率: 0Hz ~ 4GHz
适用于相关产品: CGH40120F
已供物品:
相关产品: CGH40120F-ND - TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG
3
CGH40120F Rev 2.7
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
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Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/rf
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Typical Performance
Gain and Input Return Loss vs Frequency of the CGH40120F measured in
Broadband Amplifer Circuit CGH40120F-TB
VDD
= 28 V, I
DQ
= 1.0 A
Gain, Output Power and PAE vs Frequency of the CGH40120F measured in
Broadband Amplifer Circuit CGH40120F-TB
VDD
= 28 V, I
DQ
= 1.0 A
5
15
25
15
20
25
G
a
i
n
(
d
B
)
CGH40120F S21
CGH40120F S11
-25
-15
-5
0
5
10
800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800
G
a
i
n
(
d
B
)
Frequency (MHz)
100
125
150
20
25
30
O
u
t
p
u
t
P
o
w
e
r
(
W
)
,
P
A
E
(
%
)
G
a
i
n
(
d
B
)
0
25
50
75
0
5
10
15
1200
1250
1300
1350
1400
O
u
t
p
u
t
P
o
w
e
r
(
W
)
,
P
A
E
(
%
)
G
a
i
n
(
d
B
)
Frequency (MHz)
Gain
Output Power
PAE
Input Return Loss (dB)
Gain
PAE
Output Power
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