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参数资料
型号： CM100MX-12A
厂商： Powerex Inc
文件页数： 3/7页
文件大小： 0K
描述： CIB MOD 600V 100A NX SER
标准包装： 1
配置： 三相反相器，带制动器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 2.1V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 100A
电流 - 集电极截止（最大）： 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)： 11.3nF @ 10V
功率 - 最大： 400W
输入： 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻： 是
安装类型： 底座安装
封装/外壳： 模块
供应商设备封装： 模块
配用： BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT
BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT
BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM100MX-12A
NX-Series CIB Module
(3? Converter + 3? Inverter + Brake)
100 Amperes/600 Volts
Electrical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Inverter Part IGBT/FWDi
Characteristics
Collector Cutoff Current
Gate Leakage Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Symbol
I CES
I GES
V GE(th)
V CE(sat)
C ies
C oes
C res
Q G
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 10mA, V CE = 10V
T j = 25°C, I C = 100A, V GE = 15V *5
T j = 125°C, I C = 100A, V GE = 15V *5
I C = 100A, V GE = 15V, Chip *5
V CE = 10V, V GE = 0V
V CC = 300V, I C = 100A, V GE = 15V
Min.
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
Typ.
—
—
6
1.7
1.9
1.6
—
—
—
270
Max.
1.0
0.5
7
2.1
—
—
13.3
1.4
0.45
—
Units
mA
μA
Volts
Volts
Volts
Volts
nF
nF
nF
nC
Inductive
Turn-on Delay Time
t d(on)
—
—
100
ns
Load
Switch
Time
Turn-on Rise Time
Turn-off Delay Time
Turn-off Fall Time
t r
t d(off)
t f
V CC = 300V, I C = 100A, V GE = ± 1 5V,
R G = 6.2?, Inductive Load
—
—
—
—
—
—
100
300
600
ns
ns
ns
V EC
Emitter-CollectorVoltage
*1
T j = 25°C, I E = 100A, V GE =
0V *5
—
2.0
2.8
Volts
T j = 125°C, I E = 100A, V GE = 0V *5
I E = 100A, V GE = 0V, Chip
—
—
1.95
1.9
—
—
Volts
Volts
Q rr
Reverse RecoveryTime
Reverse Recovery Charge
Internal Gate Resistance
External Gate Resistance
t rr *1
*1
r g
R G
V CC = 300V, I E = 100A, V GE = ±15V
R G = 6.2?, Inductive Load
T C = 25°C, Per Switch
—
—
—
6.0
—
3.6
0
—
200
—
—
62
ns
μC
?
?
*1 Represent ratings and characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free wheeling diode (FWDi).
*5 Pulse width and repetition rate should be such as to cause negligible temperature rise.
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